【48812】纯化合物半导体代工厂推出全新RF GaN技能

  6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣告，公司扩展了其RF GaN技能组合，推出了依据碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技能测验版NP12-0B渠道。现在，NP12-0B判定测验已完结，终究建模/PDK生成估计将于2024年8月完结，并方案于2024年第三季度末发布完好的出产版别。

  据稳懋半导体介绍，该渠道的中心是0.12μm栅极RF GaN HEMT技能，该技能结合了多项改善，以增强直流和射频的经用性，并添加芯片级防潮性。NP12-0B集成了多项晶体管改善，在深度饱满/高压缩脉冲和接连波条件下运行时具有高经用性。这种新的经用技能经过消除在GaN HEMT功率放大器中观察到的脉冲下降现象，来提升了脉冲形式雷达体系的规模和灵敏度。此外，NP12-0B还供给增强型防潮性选项，在塑料封装中使用时具有十分超卓的耐湿性。

  NP12-0B渠道支撑全MMIC，答应客户开发适用于50GHz以下使用的紧凑型脉冲或CW饱满功率放大器。该工艺适用于28V作业电压，在29GHz频段可发生4.5 W/mm的饱满输出功率，线 dB，功率附加功率超越40%。NP12-0B技能很合适用于先进雷达体系的巩固型脉冲形式高功率放大器。

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