砥砺猛进坚持半导体技能自主立异

  2019年，在新加坡肄业和作业近15年后，我回到国内，参加西安电子科技大学郝跃院士领衔的宽禁带半导体团队。一年后，我来到中新广州常识城，帮忙谋划和建造西安电子科技大学广州第三代半导体立异中心。

  作为一种宽禁带半导体资料，氮化镓在射频、电力电子、光电子等应用范畴比硅、砷化镓等资料具有显着功能优势，也是世界上半导体和集成电路工业的竞赛热门之一。西安电子大学的宽禁带半导体团队在这一范畴有20余年的研讨阅历，在氮化镓的配备、资料、器材到体系的基础研讨方面取得了许多重要的效果，广州第三代半导体立异中心承担着氮化镓工程化技能的立异研讨和工业化的重要任务，要点环绕氮化镓射频、电力电子器材，进行立异型研制技能和工业化。

  硅基氮化镓射频器材和集成电路兼具功率高、效率高、易集成、耐高温、抗辐照和加工制作低成本的长处，鄙人一代移动通讯终端、工业互联网、车联网、局域网等通讯体系应用范畴具有很大潜力，也是简单被“卡脖子”的要害技能之一。咱们团队在试验室里成功开发根据硅基氮化镓的微波、毫米波和太赫兹器材要害资料技能和工艺制备技能，取得世界抢先效果，正在转移到广州立异中心的中试线，进行小规模量产。

  党的二十大陈述提出“深化施行科教兴国战略、人才强国战略、立异驱动开展的战略”“加速完成高水平科技自立自强”，让我非常振作。作为一线科研作业者，往后我将持续兢兢业业、砥砺猛进，为加速完成我国高水平科技自立自强贡献力量。