详细介绍
近日,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在苏州胜利闭幕。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表超过1600位,在会期27场专题活动中深入交流研讨、追踪产业前沿新风向。
以碳化硅为代表的第三代半导体被称为绿色半导体。在“双碳”背景下,产业体系将面临深刻的低碳转型挑战,能源技术将会引领能源产业变革,实现创新驱动发展。
当前,第三代半导体产业驶入发展“快车道”。在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费类电子等多重需求的强力拉动下,第三代半导体材料、器件正在快速实现从技术研发到规模化量产。
国际上看,美欧纷纷宣布加大资产金额的投入,确保半导体产业链、供应链自主和安全。国内第三代半导体产业也进入快速“成长期”。面对国际社会在半导体领域的巨额投入、联合发展和技术产业封锁,国内各级政府从产业政策、发展规划、研发技术、平台建设、应用推广、税收优惠等各方面对半导体产业做全面支持,在政策驱动及应用需求升级带动下,国内第三代半导体产业加快速度进行发展。据CASA多个方面数据显示,2021年,国内第三代半导体电力电子市场规模约71.1亿元,未来五年CAGR将近45%。
国际国内SiC与GaN技术和产品以及应用也在不断的进步。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作时候的温度,在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。氮化物半导体涉及蓝/白光LED、紫外LED,微波射频器件、功率电子器件等诸多应用,比如深紫外光源已用于日常生活、生产科研、国土安全等领域。
以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具备更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有非常明显的优势和巨大的发展潜力。
三天时间里,围绕着碳化硅衬底材料、氮化物衬底材料,功率模块与电源应用、碳化硅功率电子材料与器件、氮化镓功率电子材料与器件、固态紫外材料与器件、化合物半导体激光器技术、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术与产业应用、射频电子材料与器件、超宽禁带及其他新型半导体材料与器件、教育照明与健康光环境、智慧照明设计与应用、第三代半导体产业人才发展论坛、车用半导体创新合作、第三代半导体标准与检测等主题。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表参会超过1600位嘉宾台上台下展开探讨,从不同的角度分享不同见解,观点碰撞,探求技术与产业化难题解决之道。
“十四五”是我国第三代半导体产业从“有无”到解决“能用”和“卡脖子”问题,实现全产业链能力和水平提升,整体国际同步,局部实现超越的关键阶段。要实现这一目标,迫切地需要政产学研用紧密合作,着力突破材料和器件关键技术、加快可靠性验证、完善标准体系、推动国产替代应用、强化人才培育和引进,构建要素齐全、创新活跃、开放协同的产业生态。
作为首屈一指的经典行业盛会,秉持与时偕行的精神,守望产业的发展壮大。历经近20年的成长蜕变,论坛已成为国内第三代半导体产业最坚定的支持和推动力量,集最前沿趋势,技术、应用与服务于一体的”航母式“综合服务平台,并在持续成长升级。面对更复杂多变的国内外产业高质量发展形势,论坛不改初心,继续凝聚更多先进力量,全力为产业高质量发展保驾护航。
中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)秘书长阮军代表组委会介绍了本届会议筹办情况,本次会议得到了业界、学界广泛的支持与热情参加,本届论坛为期三天,包含一场大会,190余个报告,13场主题技术分论坛、7场热点产业峰会、三场工作会议,共计27个专题活动,以及先进半导体技术应用创新展(CASTAS)、POSTER论文交流等多种形式的分论坛。据组委会初步统计,本届论坛全国各地2000名代表注册参会,实际参会人数超过1600名。
闭幕仪式上,香港科技大学刘纪美教授, 中电科第五十八所所长蔡树军研究员,西安电子科技大学张玉明教授,全球能源互联网研究院原院长、厦门大学讲座教授邱宇峰,复旦大学张清纯教授和厦门大学康俊勇教授共同为本次会议最佳POSTER优秀海报奖获得者颁发荣誉证书。
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