我国第三代半导体职业资料器材构成及开展的战略研究陈述

  第三代半导体是指化合物半导体，包含SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝），以及金刚石等宽禁带半导体资料（导带与禁带间能隙差Eg2.3eV），具有击穿电场高、热导率大、电子饱满漂移速率高、抗辐射能力强等优胜功能。

  第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，首要运用在在光电子、电力电子和射频芯片三大范畴，其间光电子器材包含LED、激光器、探测器等，电力电子器材包含二极管、MOSFET等；微波射频器材包含PA、LNA和滤波器等。

  华经工业研究院对我国第三代半导体职业开展现状、职业上下游工业链、竞赛格式及重点企业等进行了深化剖析，最大极限地下降企业出资危险与运营本钱，提高公司竞赛力；并运用多种数据剖析技能，对职业开展的新趋势进行猜测，以便企业能及时抢占商场先机；更多具体内容，请重视华经工业研究院出书的《2022-2027年我国第三代半导体职业商场调查研究及开展的战略研究陈述》。

  【陈述标题】2022-2027年我国第三代半导体职业商场调查研究及开展的战略研究陈述

  第五章 2017-2021年第三代半导体氮化镓（GaN）资料及器材开展剖析

  第六章 2017-2021年第三代半导体碳化硅（SiC）资料及器材开展剖析

  6.4.1使用全体技能道路电网使用技能道路电力牵引使用技能道路电动汽车使用技能道路家用电器和消费类电子使用

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