第九届国际第三代半导体论坛在厦举行

  2023年11月28日,第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心盛大召开。

  作为有着深厚积累的年度盛会汇聚全球顶级精英,集齐跨地区,跨领域的智慧合力,共同召唤产业高质量发展新生态。今年时值国家半导体照明工程启动20周年,以及中国国际半导体照明论坛20周年,特别的时节点与国际时代背景变化的交点,赋予了这场具有“全球第三代半导体行业风向标”意义的年度经典盛会别样的精彩。中国工程院院士、中国科学院院士等多位院士领衔,厦门市工信局、市科技局、火炬高新区管委、惠新厦门科学技术创新研究院,以及北京、天津、深圳、苏州、武汉、宁波、常州、泉州、保定、南昌、长治、盘锦等地方发改、工信、科技及高新区领导代表及地方行业协会、学会、联盟等社团组织代表。还有众多来自海内外半导体照明、第三代半导体及相关领域的知名专家学者、企业领袖、行业组织领导、投资机构代表出席了本次盛会。围绕第三代半导体技术、应用,深入探讨交流最新技术进展与发展的新趋势,分享前沿研究成果,共议产业高质量发展新未来。

  作为第三代半导体第一个成熟的应用窗口,半导体照明历经二十多年的发展取得了历史性的成就。如今第三代半导体发展进入新的阶段,高性能计算、量子技术、能源转换、光电子学和生物医学等领域不停地改进革新和技术挑战将继续推动第三代半导体技术探讨研究和应用的进展,未来展充满着巨大的想象空间和新的可能性。

  半导体是厦门科学技术创新和产业高质量发展的重点方向,已形成良好的产业高质量发展基础。福建省 委常委、厦门市委书记崔永辉表示,厦门将依托科学技术创新引领工程、先进制造业倍增计划等重点战略举措,全力推动厦门半导体产业进一步提档升级,提质增效,取得更大突破。也欢迎业界同仁深度考察,帮助厦门半导体和集成电路产业高质量发展出谋划策,推动厦门为全球第三代半导体产业高质量发展做出更大的贡献。

  大会主席、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任、中国工程院原副院长干勇院士表示,半导体、新材料、工艺和装备核心产业环节系统研发创新是建立半导体产业核心竞争力的必要途径。未来应该进一步通过推动建设多样化的、动态的、矩阵式的创新联合体的生态群,实现强链、强延、强基。半导体产业的全球化属性不可改变,创新对于半导体行业特别的重要,要坚持加强全球产业链、供应链的协作。

  国家新材料产业高质量发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞时表示,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料处于黄金赛道。在国家科技计划的连续支持下,我国第三代半导体有了长足的发展,但仍面临一定的挑战,产业健康发展还要求我们一起努力。半导体行业是全球一体化程度最高的行业之一,产业健康发展需要世界以建设性态度加强合作,一同推动全球科学技术领域的合作和进步。

  大会主席、2014年诺贝尔物理学奖获得者,美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二通过视频祝贺论坛的召开,并表示今年是中国半导体照明研发项目启动20周年,祝贺中国的朋友们取得的伟大成就,半导体照明技术和产业的加快速度进行发展,以及在通用照明中的快速大规模应用,为宽带隙半导体的无限应用潜力提供了一个极好的例子。我们仍处于更具影响力的宽带隙半导体研发的开端。许多科技挑战正等待我们通过全球努力和合作来解决。为低碳、绿色和可持续发展,以及人类福祉做出贡献。

  厦门市是国家集成电路布局规划重点城市及海峡两岸集成电路产业合作试验区,半导体产业基础良好、发展势头强劲。为加快发展壮大第三代半导体产业集群,厦门市人民政府、厦门大学、季华实验室、第三代半导体产业技术创新战略联盟同意建立长期战略合作伙伴关系,发挥各自优势,开展产学研用全方位合作,逐步提升厦门市第三代半导体产业的技术水平和总实力。开幕式上,四方战略合作框架协议签约,通过四方的战略合作,将围绕第三代半导体产业领域在厦门打造国家高能级技术创新平台、共建半导体研究智库、推动重大科学技术成果转化合作、增强第三代半导体企业的全球竞争力,力争解决我国第三代半导体产业尤其是装备行业的部分“卡脖子”技术难题,切实提升厦门市半导体产业技术水平。

  开幕式上,标准化在推进国家治理体系和治理能力现代化中发挥着基础性、引领性作用。在与会嘉宾的见证下,由第三代半导体产业技术创新战略联盟组织编写的《第三代半导体功率器件产业及标准化蓝皮书》正式对外发布。以及举行“2023金砖国家技能发展与技术创新大赛-先进半导体(氮化镓、碳化硅)技术及应用大赛颁奖仪式”。2023年国际半导体照明联盟(ISA)“全球半导体照明突出贡献奖”评选结果揭晓,匈牙利布达佩斯科技经济大学教授András Poppe和《国际能源署 (IEA) 节能终端设备实施协议 (4E) 半导体照明项目》获此殊荣。

  新科技时代背景下,随着不同应用的变革升级以及新兴领域的拓展,需求将继续增长。第三代半导体将迎来更广阔的发展前途,将开启新的发展周期,变化可期。与此同时,“双碳”背景下,产业体系将面临深刻的低碳转型挑战,能源技术将会引领能源产业变革,实现创新驱动发展。人工智能等新技术的快速使用,将使半导体行业朝着高性能、低功耗的目标发展,从而带动更多应用领域的更新换代和产业升级。

  开幕大会主旨报告环节,六大国际重量级报告从现在与未来,走向与选择,变革与升级,宏观与微观,务实与前瞻等不同视角,多维度探讨产业高质量发展的未来,共议产业高质量发展新篇章。中国科学院特聘研究员、半导体照明联合创新国家重点实验室主任李晋闽与北京大学理学部副主任、教授沈波共同主持了该环节。

  国家半导体照明工程启动二十年来取得了巨大的成就,并收获了诸多的经验。国际半导体照明联盟主席、全国政协教科卫体委员会原副主任曹健林报告中表示,半导体照明是第三代半导体第一个成功的突破口,未来将进一步满足光电子、微波射频和高效功率电子等新需求的加快速度进行发展,在全球信息化发展及可持续电气化转型中发挥着至关重要的作用。

  宽禁带半导体技术快速崛起,未来10年将对国际半导体产业格局重塑产生至关重要的影响。宽禁带半导体研究已经取得了不少成就,也有诸如大注入、高场条件下器件,单光子源与单光子探测,自旋注入与极化光,极化调控与铁电特性等基础问题是需要关注。中国科学院院士、厦门大学党委书记、教授张荣指出,物理学、材料科学、量子科学及微纳加工技术持续不断的发展,为半导体信息器件提供了新的发展维度,衍生出基于新原理的颠覆性器件,满足在信息科学前沿领域的创新性应用。

  工业革命伴随着能源革命,绿色低碳智能世界加速到来。构建以新能源为主体的新型电力系统,功率器件是核心之一。华为数字能源技术有限公司CTO黄伯宁表示,SiC为代表的化合物功率器件与绿色能源产业需求高度共振。Grid Forming构网技术是解决新型电力系统稳定性的关键路径。

  GaN功率器件技术在多个领域都具有广泛的应用前景,能大大的提升系统效率、减小体积,并推动电力电子技术的发展,GaN功率器件的成本与可靠性问题非常关注。英诺赛科欧洲总经理Denis MARCON在报告中指出通过利用规模经济,8英寸高通量制造晶圆厂完全致力于生产硅晶片上的8英寸GaN,能够给大家提供具有价格竞争力的GaN功率器件。

  化合物半导体具有的良好特性使得它们在高功率、高频率、光电子学和光伏等领域的应用表现出色,推动了许多先进的技术的发展。三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示,当未来智能照明无处不在时,光电子的创新将是点亮我们幸福快乐生活的神奇钥匙,努力打造多维物联网的“核心”世界,为未来世界提供“核心芯片”,实现人类文明的新格局、新智能、新形态。

  氮化镓(GaN)集成技术有助于提高电子器件的性能、降低系统成本、减小尺寸,并增强系统的可靠性。香港科技大学教授陈敬报告中表示,GaN HEMT功率器件的平面特性为各种应用提供了丰富的机会。GaN电力电子电源集成、可靠性问题至关重要,必须加以解决。

  本届论坛除了重量级开、闭幕大会,还设有14场主题技术分论坛,7场热点产业峰会,多场卫星活动,汇聚全球顶级精英,全方面覆盖半导体照明和第三代半导体领域的前沿热点、技术应用、产业趋势。并专门设置了“2023第三代半导体技术应用创新展”,全链条聚焦第三代半导体产业高质量发展。论坛会期4天,也给业界充足的互动交流时间。论坛期间有论文评选、现场抽奖、商务参观等精彩纷呈的活动,特别是本届论坛设置了国家半导体照明工程二十周年纪念展示区,见证行业发展历史和丰硕成果。现场氛围非常热烈。