【48812】干货 优化电源功率MOSFET该怎么选？

  优化电源规划以进步功率十分重要。进步功率不光能够节省能源，削减热量发生，还能够缩小电源尺度。

  挑选 MOSFET 时，怎么恰当分配 HS-FET 和 LS-FET 的内阻以获得最佳功率，这对电源工程师来说是一项应战。

  MOSFET 的挑选关乎功率，规划人需求在其传导损耗和开关损耗之间进行权衡。传导损耗发生在在 MOSFET 封闭期间，由于电流流过导通电阻而形成；开关损耗则发生在MOSFET 开关期间，由于 MOSFET 没有即时开关而发生。这些都是由 MOSFET 内半导体结构的电容行为引起的。

  MOSFET 是一种集成型多组件结构，由多个MOSFET 半导体结构并联而成。并联的MOSFET晶体越多，其导通电阻 (R

  会下降传导损耗，但会添加寄生电容，然后增大开关损耗。因而，规划人需求在电阻和电容之间获得必定的平衡。

  挑选 MOSFET 时需求稳重的考虑，但经过板载测验来决议则在大多数情况下要花费过多的时刻和资源。因而，树立一个准确的数学模型来剖析损耗并协助MOSFET选型将更有价值。

  阶段1（DS 电压上升）：IDS跟着 VDS的上升而下降。当 IDS降至 0A 时，此阶段完毕。阶段 2（振动）：当 VDS中止振动时，此阶段完毕。

  一旦树立了模型，使用从上文得到的功率损耗中获取的数据，得到仿真功率值，将该值与电路板（或数据手册）中得到的功率曲线作比较。假如核算功率差错在 0.5% 以内，则以为该模型是准确的（见图 6）。

  在本文的示例中，咱们采用了总内阻为100mΩ的10个MOSFET，依据上述模型核算在不同上/下管MOSFET比率下的功率曲线个 HS-FET（高 R

  经过比较曲线A 使用的MOSFET 最佳比率为3:7（见图 7）。这组功率曲线标明，即便 MOSFET 的数量相同，不同的比率也将导致不同的功率曲线。由此咱们我们能够找到最优功率曲线下的最佳MOSFET比率。

  图 9 显现了在相同的输入和输出标准以及相同输出电流下，怎么在不同的 MOSFET 比率下找到电路中的最小损耗点。规划人员在挑选 MOSFET 比率时有必要紧记这些标准。