赛仪欧电子供给宽带隙 (WBG) 器材参数双脉冲测验丈量示波器MSO5B和MSO6B

  原标题：赛仪欧电子供给宽带隙 (WBG) 器材参数双脉冲测验丈量示波器MSO5B和MSO6B

  运用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管的宽带隙 (WBG) 器材将因其更高的开关速度而广泛替代开关形式电力电子和电机操控中的传统硅基功率 MOSFET 和 IGBT并下降功率损耗。为协助选用 WBG 器材，工程团队运用泰克示波器MSO5B和MSO6B对碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶体管进行测验。

  双脉冲测验供给了多项要害丈量，以协助验证和优化电源转换器规划。这些包含：

  开关损耗：E ON和 E OFF这 2 个参数取决于 ΔV DS /Δt 和 ΔI DS /Δt。准确的时刻对准至关重要。捕获信号时的纳秒差错有几率会使不正确的成果。

  峰值电压：V DS (MAX) 在高电流、高速硬开关期间，通常会遇到 FET 漏极至源极电压尖峰超越直流总线电压的状况。

  峰值电流：ID (MAX) WBG 晶体管的快速开关操作会导致尖利的电流尖峰，给器材带来压力，并或许缩短运用寿命。

  反向恢复电荷：Q RR有必要量化 MOSFET 和共源共栅 FET 的反向恢复行为，以了解其对总损耗的奉献。

  轻松辨认丈量接地，这些接地均与 6 系列 MSO 内部的机箱（接地）接地相连，包含：

  简略的接线/布线 系列 MSO 做全面长途操控。这样做才能够坚持探头布线较短，一起答应测验工程师在高能测验过程中与检测体系坚持间隔

  为了完结丈量设置并使用 6 系列 MSO 中的 AFG 选项，咱们一定要想出一种在 AFG 上生成 DPT 栅极驱动信号的办法。

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