预计2026年GaN电源类应用市场将达到11亿美元

  市场分析公司Yole Développement在其报告“GaN Power 2021：外延，器件，应用和技术趋势”中预测，在消费类应用领域的推动下，氮化镓（GaN）电源市场在2020年期间将增长一倍，到2026年总规模将达到11亿美元。

  2020年，由于GaN器件渗透到器应用中，功率GaN市场翻了一番。 Yole表示，GaN在智能手机市场中的采用得益于系统紧凑性，高效率和适配器多功能性。其补充说，快充是GaN功率器件市场的杀手级应用。

  “在Oppo在2019年底为其Reno Ace旗舰型号的65W内置快速充电器中采用GaN之后，几家手机原始设备制造商（OEM）和配件充电器提供商在2020年为其快速充电器发布了多项GaN解决方案。”Yole 化合物半导体和新兴基板技术与市场分析师Ahmed Ben Slimane博士表示。

  2020年，小米，联想，三星，Realme，戴尔和LG等多家公司（以及其他中国配件公司）采用了GaN技术。到目前为止，至少有10个智能手机OEM厂商推出超过18款带有内置GaN充电器的手机。报告称，这种增长还将在售后市场中继续，苹果，小米和三星等公司都选择了开箱即用的充电器解决方案。

  Yole预计电源将成为主要的市场驱动力，复合年增长率（CAGR）为69％，从2020年的将近2900万美元增长到2026年的约6.72亿美元（占Ga市场总量的61％）。

  Ahmed Ben Slimane表示：“尽管GaN在大众消费市场上继续崛起，但电信和数据通信和汽车和移动市场将受益于规模效应经济和价格侵蚀。实际上，在这些可靠性和成本至关重要的市场中，Yole预计，从2023年至2024年，GaN的渗透率将有明显增长（为中长期的总体市场增长做出贡献）。”

  “在电信和数据通信市场中，由于对能源消耗的法规越来越严格，因此就需要更高效，更小的电源，数据中心和电信运营商已经对GaN器件产生了兴趣。”化合物半导体与半导体技术与市场分析师Chis Pouhun Chiu指出。近年来，随着Eltek，Delta和BelPower首次采用小批量的GaN电源，Yole预计GaN的渗透率将进一步提升，这将推动电信和数据通信领域的复合年增长率达到71％，从2020年的910万美元增长到2026年将超过2.23亿美元。

  Chiu说：“在汽车电动化的巨大动力以及对通过系统效率优化来增加行驶里程的兴趣之后，汽车和移动市场也对GaN给予了极大的关注，” Chiu说。

  从长远来看，如果GaN已以较低的价格证明了其可靠性和高电流能力，它可以打入更具挑战性的EV / HEV（混合电动汽车）逆变器市场和保守的工业市场，这可能会创造出显着的高价位。报告说，GaN有大量的机会。

  从2022年开始，预计GaN会小批量渗透到车载充电器（OBC）和DC / DC转换器等应用中，这主要与OEM和Tier1的选择有关。因此，Yole预计，到2026年，汽车和移动市场将以185％的复合年增长率增长，达到1.55亿美元以上。

  就技术趋势而言，更多的新参与者已确定进入市场，以GaN-on-Si（GaN-on-Si）增强模式（E-mode）高电子迁移率晶体管（HEMT）技术为目标，目标是蒸蒸日上的快速充电器细分市场。硅基氮化镓被认为是未来几年扩大产能的平台。因此，已经对GaN外延和晶圆厂进行了显着的投资，以提高GaN器件的制造能力。然而，对于更大的晶片尺寸，外延沉积任旧存在挑战。

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  ——翻译自Digikey 氮化镓(GaN)是一种具有高电子迁移率的宽禁带半导体材料。在晶体管级，GaN比传统硅晶体管具有更高的电流、更快的开关速度和更小的物理尺寸。还能够正常的使用增强模式GaN (e-GaN)和采用Cascode结构 FET GaN开关结构。 e-GaN开关是一种正常关闭的GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)，它的工作原理与普通MOSFET类似，但需要更加多的注意门驱动电路的设计。e-GaN HEMTs就是专门为开关而设计的门驱动器。在Cascode结构中，Cascode耗尽模式GaN开关与硅MOSFET串联使用常开耗尽模式GaN HEMT。硅MOSFET控制开关中的氮化镓HEMT的开关，因此能使用标准的

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  还记得英伟达去年推出的StyleGAN吗？全新的生成器架构让这个“新一代GAN”生成的人脸真实到可怕。现在，StyleGAN已经开源，包括源代码和官方TensorFlow实现，附有详细使用说明。多说一句，还请谨慎使用，不要让StyleGAN成为第二个DeepFake。 还记得英伟达震撼世人的 新一代GAN 吗？ 以假乱真的精细人脸生成，令不少研究人员都惊呼：已经没办法分辨虚拟和现实！ 上述人脸全部由计算机生成，StyleGAN的全新风格迁移生成器架构能控制发色、眼睛大小等脸部特征。来源：NVlabs/stylegan 论文、源代码、高清Flickr人脸图像数据集等所有的材料都公布了出来，非商业使用的情况

  攻破所有人脸识别系统 /

  据《中国电子报》报道，目前国内功率半导体企业，纷纷在宽禁带半导体产品上发力。 国内主要的半导体企业均在积极布局低碳产品线 ，不断加大低碳类项目投入，深化低碳芯片研发及产业化。 在节能降碳风潮的推动下，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前途的市场。 即便当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合看来，应用宽禁带半导体器件将给系统带来非常大的综合收益。“双碳”浪潮下，半导体产业链各方同时用力，但谁能在这一风潮中获利，将取决于企业的生态打造能力。 吉林华微电子宽禁带产品生产研发势头亮眼。随着低碳化产品成为持续拉动功率半导体市场增长的动力点，全球各大供应商分别推出了相关这类的产品和解决方案。吉林华微电子抓住新的增长机遇，积极迈进

  氮化镓（GaN）晶体是一种很有发展前途的材料，可用于研发下一代功率半导体设备。据外国媒体报道，日本国家材料科学研究所（NIMS）与东京工业大学（Tokyo Tech）研发了一种生长高质量GaN晶体的技术，与现存技术生长的GaN晶体相比，新技术制作而成的GaN晶体缺陷会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同，新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底，以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。 用于下一代功率半导体设备中，以用于车辆和其他用途。不过，传统的GaN单晶体生长技术会将气态原材料喷到基底上，导致了一个主要的缺点：会在晶体内部形成很多原子大小的缺陷（包括位错）。当有位错缺陷的GaN晶体被集成至功率设备中时，会有泄漏的电流穿过

  贸泽备货Qorvo QPA1314T 55 W GaN功率放大器 满足射频卫星通信需求 2022年9月26日 – 专注于引入新品并提供海量库存™的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo®的QPA1314T 功率放大器 (PA)。 QPA1314T采用Qorvo的0.15um 碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 工艺 (QGaN15) 制造，并安装在高导热垫片上，是一款大功率MMIC放大器，很适合商业和国防射频通信应用。 贸泽备货的Qorvo QPA1314T PA具有12.75至15.35GHz的扩展频率范围，并在13.75至14.5GHz的标准范围内

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  作者：宜普电源转换公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及张远哲博士 面向不一样的种类的家电，eGaN FET技术在推动无线充电市场的发展扮演着重要的角色 这里展示出由无线充电推动、置于有机玻璃盒内并挂于电视机背部的电视系统原型。我们加入石膏分隔板来展示发射器其实就是应用处于墙壁后面，而接收器装置最终会被整合于电视内。这样，电视就像挂画一样，很容易地挂于墙壁上。 电视以无线方式传递内容，但它们必需一组电源线来供电。消费电子业界一直有个想法，希望电视摒弃电源线，但未能实现。原因有多个，例如为大屏幕电视机提供所需的高功率十分艰难及需要找出具成本效益的技术。 然而，氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）有

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