SK海力士正考虑与铠侠合作生产HBM

  据 MoneyDJ 援引 Jiji Press 报道，韩国存储器巨头 SK海力士正在探索与日本 NAND 闪存制造商铠侠合作，生产用于AI应用的高带宽存储器 (HBM)。

  据时事通讯3月1日报道，预计生产将在铠侠与西部数据（WD）合资的日本工厂进行。 另一方面，铠侠将根据半导体市场状况及其与 WD 的关系评估拟议的合作。

  该报告强调，HBM（一种大多数都用在人工智能服务器的 DRAM）在 NVIDIA 的带动下，在全世界内的需求正在激增。 此外，根据集邦咨询此前发布的新闻稿，2023年HBM三大原厂市占率分别为：SK海力士、三星均在46-49%左右，美光则在4-6%左右。

  对于SK海力士来说，利用铠侠在日本岩手县北上市和三重县四日市的现有工厂生产HBM将能快速建立扩大的生产系统。

  与此同时，铠侠和WD的日本合资工厂目前只生产NAND Flash。 如果未来能够生产出最先进的DRAM，也将为日本的半导体产业振兴计划做出贡献。

  该报告进一步指出，SK 海力士通过美国投资公司贝恩资本间接投资了铠侠约 15% 的股份。 据报道，贝恩资本正在与 SK 海力士进行幕后谈判，寻求重启铠侠/WD合并。 然而，根据报道中引用的消息来源，“这次合作和合并是两个单独的讨论事项。”

  据朝日新闻此前2月23日报道，铠侠和WD预计将在4月底重启合并谈判。 尽管去年秋天双方的合并谈判遇到了障碍，但双方都面临着扩大规模的生存压力。 不过，双方最终能否达成合并协议仍存在不确定性。

  根据TrendForce 2023年第三季度的数据，三星继续保持全球第一大NAND闪存制造商的地位，占据31.4%的市场占有率。紧随其后的是SK集团，以20.2%的市场占有率位居第二。 西部数据以16.9%的市场占有率占据第三位，而日本的铠侠则占据14.5%的市场份额。

  朝日新闻进一步指出，如果铠侠和WD这两家均生产NAND Flash产品的公司合并，其规模将与全球市场领导者三星电子相媲美。

  据报道，日本政府将铠侠/WD合并视为日美半导体合作的“象征”，并提供了支持。 然而，去年秋天，合并谈判陷入僵局，据报道是由于间接投资铠侠的 SK 海力士的反对。关键字：引用地址：SK海力士正考虑与铠侠合作生产HBM

  据etnews报道，SK海力士目前正快速推进 “M16”晶圆厂的运营。业内人士透露，SK海力士内部目前正在讨论，计划提前M16工厂的建设以及设备入库时间，设备安装后有望在2021年全面投产。 M16晶圆厂建设于SK 海力士韩国利川总部广达53000平方米（相当于5个足球场）的土地之上,该厂是SK海力士下一代的内存生产基地。 据了解，该公司计划在M16厂内生产10nm DRAM ，同时为最大限度地提高生产率，SK 海力士还将导入EUV（极紫外光刻）工艺。 报道指出，M16厂初期12英寸晶圆产能为15000至20000片。随着SK 海力士致力于推进设备入库以及运营时间，预计该工厂将于2021年全面投产。 不过必须要格外注意的是，新冠肺炎

  近日，SK 海力士负责人在接受媒体采访时表示，准备在2020年发布 DDR5 内存 条，频率起步5200MHz，另外 DDR6 内存也开始策划了，将在5~6年内研发。 在2018年末，SK海力士宣布完成首款DDR5 RAM 芯片，该内存的速度为5200 MT/s，电压为1.1 V，比上一代产品快60%。到2022年，海力士还将会推出DDR6-6400版本。 据介绍，SK海力士DRAM设计研究员在与韩国先驱报谈论时表示第六代DDR内存将能达到DDR6-12000的数据传输性能，并预测DDR6将在五六年内开发。他还表示海力士正在讨论“后DDR5”产品的几个设计的具体方案，其中一个是延续现有的数据传输规范，另一个方案则是将DRAM

  的DDR6内存能跑多快？ /

  根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第一季的DRAM价格趋势，除了图显内存(graphic DRAM)受惠于基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用别的内存在第一季约有3-6%不等的季涨幅，今年第一季全球DRAM总营收较2017年第四季成长5.4%，再创新高。 DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，观察第二季价格趋势，PC-OEM厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂定价来看，均价已来到34美元，较上一季平均涨幅约达3%。从市场面来观察，由于服务器需求较佳、毛利高、获利空间较大，一线DRAM大厂持续将产能转往服务器内存

  赛普拉斯将在继续专注于为汽车、工业和物联网市场 提供连接、计算和存储解决方案的同时，持续为客户提供NAND产品和服务 全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司（Cypress Semiconductor Corp.）日前宣布，与海力士半导体公司（SK hynix system ic, Inc.）成立合资公司。协议约定在前五年中，合资公司将生产及销售赛普拉斯现有的SLC NAND闪存系列新产品，并将继续投资于下一代NAND产品。合资公司总部设立在香港，海力士与赛普拉斯将分别持有60%与40%的股份。 赛普拉斯总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示：“合资公司将会长期为客户提供持续稳定的产品供应。赛普拉斯3

  据国外新闻媒体报道，一知情人士周五表示，韩国海力士半导体已向股东要求提供5000亿至1万亿韩元(约合3.38亿美元-6.75亿美元)的新资金支持。 该消息的人说，海力士主要股东正在讨论是否要提供资金，融资方式、规模及时机都未作出任何决定。 日本NHK周五报导称，由于需求疲软，全球第二大NAND闪存制造商日本东芝的两座芯片厂将暂停生产9天。台湾DRAM厂商也因筹资困难，呼吁政府提供援助以度过改时期。 海力士稍早曾表示，正在考虑筹资方式，包括贷款和出售旧生产设备等。海力士今年第三季度净亏损1.65万亿韩元(约合11.1亿美元)，为近8年来最差的业绩表现。截至9月底止，该企业具有1.23万亿韩元的现金及现金等同物。

  SK海力士(SK Hynix)为加强攻略次世代储存装置固态硬盘(SSD)市场，将自2015年量产3D NAND Flash。据南韩每日经济报导，SK海力士已完成3D NAND研发作业，将于2015年正式展开销售。   SK海力士将现有的部分NAND Flash产线D NAND产线D NAND将在南韩清州工厂生产。3D NAND不同于半导体Cell平面展开的传统NAND Flash，而是将Cell垂直堆栈，提升信息处理速度和效能。因半导体微细化已达物理性上限，要如何堆栈并提升产品性能，为制造3D NAND的重点。   SK海力士以量产3D NAND为契机，将加速攻略SSD市场。SK海力士自2011年底

  南韩记忆体大厂 SK海力士 周一宣布成立新子公司，旗下 晶圆 代工业务正式分拆成为独立的事业体，名为 SK海力士 系统IC公司。下面就随半导体小编共同来了解一下相关联的内容吧。   SK海力士正式入局晶圆代工 机遇几何？ SK海力士 系统IC主要专注于 晶圆 代工业务，服务对象为没有 晶圆 厂的IC设计商。据SK海力士表示，分拆晶圆代工业务最大的目的是想强化这方面的竞争力。(韩联社) 8寸(200mm)晶圆为IC制造主流，也是SK海力士现阶段营运重心，SK海力士计划借此增加能见度、招引更多客户，以填满晶圆代工产能，扩大市占率。 SK海力士与三星并列南韩记忆体双雄，但在晶圆代工领域，SK海力士之前还是无名小卒。按I

  美光 HBM3E 比竞品功耗低 30%，助力数据中心降低经营成本 2024 年 3 月 4 日，中国上海 —— 全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc. 近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案 。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领头羊，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为AI（AI）解决方案赋能。 HBM3E：推动人工智能革命 随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求的增加至关重要。

  3E 解决方案，加速人工智能发展 /

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