飞仕得功率半导体动态参数检测体系 实验室动态特性分析仪ME300D-SE

  们供给更便利、更高效、更高准确性的测验计划，协助工程师更好的评价IGBT/SiC MOSFET等功率器材。

  在测验流程界面，自由挑选单脉冲、双脉冲等实验类型，实验次序、实验次数恣意调整；可进行单一工况测验，也可批量增加工况。测验流程可保存，修正，便于下次运用。

  测验成果主动保存在数据库，支撑检索、查询、上传服务器。软件界面上可对波形进行扩大缩小，检查波形细节和卡点方位。

  行业界通用测验IGBT的规范是IEC-60747-9，测验MOSFET的规范是IEC-60747-8，跟着新材料、新拓扑、新封装的新式功率器材层出不穷，固化的测验规范不能彻底包络杂乱的运用场景，因而DPowerTest不光能够依照IEC规范履行，还支撑用户自定义规范。

  硬件功用（示波器、高压直流电源、加热渠道、低压直流程控电源、负载电感、信号发生器等）可完结模块化办理，比方，独自调试高压电源升压/下电、信号发生器发送不同脉宽的PWM、电感切换到不同的挡位、驱动板门极参数的调整等。在供给了手动测验的渠道一起，还提高了设备子体系的运用率。

  DPowerTest可在20s内完结一次双脉冲实验，高效来自于飞仕得自研的高压直流电源技能和软件算法。充电1200V只需求9s（电容2mF），软件对波形分析处理需求9s。

  在软件上，咱们打通了多款干流示波器的通讯协议，用户在运用ME300D-SE时，能够更自由地挑选示波器的品牌。打通协议后，可完结软件控制示波器完结通道设置和探头衰减倍数等设置，别的主动卡点核算波形。

  闭环控制精准充放电，电压精度1%FS+3V，电源升压时刻0-1200V时长8.V降压时刻5.5s@2mF。

  依据反向恢复时，因为杂散电感LS存在，VCE会有电压渠道，依据公式Vt=VDC-Ls*(di/dt) 来拟合出一个Vt曲线，精准定位相位差时刻。

  CMTI≥100kV/µs；栅极电压精度0.1V，电源规模-15-25V软件主动可调，正极性(10-25V)可调，负极性(-15-0V)可调；门极驱动回路寄生电感＜3nH。

  ME300D-SE在供给高效率、高准确度、智能化的测验解决计划的一起，保留了极具诱惑力的价格。

  需求什么设备？ /

  有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种重要的

  的查找才能。达120dB的已校显现规模答应一起显现大，小信号。 E4404B巩固，便于带着 运用桶胶包封的机架、防水面板和屏蔽的通风孔进行维护，能将

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  技能分析 /

  】（SEMICONDUCTOR DESIGN AND TEST BEIJING LABORATORY），并约请各路专家见证发动开幕。

  在Vivado Synthesis中怎样运用SystemVerilog接口衔接逻辑呢？

  依据TC962_Typical Application直流到直流单输出电源的参阅规划

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